NHUMB1 PNP/PNP-Doppeltransistoren

Nexperia NHUMB1 PNP/PNP-Doppeltransistoren sind zur Vereinfachung des Schaltungsdesigns ausgelegt und zeichnen sich durch eine hohe Durchschlagspannung, integrierte Widerstände, eine geringere Anzahl von Bauteilen und reduzierte Bestückungskosten aus. Diese Transistoren werden bei einer Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) von -80 V, einem Ausgangsstrom von -100 mA (IO) und einem Umgebungstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C (Tamb) betrieben. Typische Applikationen sind digitale Applikationen, kostensparende Alternativen für die BC856-Baureihe, die Steuerung von IC-Eingängen und das Schalten von Lasten.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT363 80V PNP/PNP RET BJT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 PNP Dual 80 V 80 V 10 V 100 mV 235 mW 150 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT363 80V PNP/PNP RET BJT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-8009-3 PNP Dual 80 V 80 V 10 V 100 mV 235 mW 150 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel