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NVBG050N170M1

Name: onsemi NVBG050N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG050N170M1
Price: 17.15 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVBG050N170M1

Herst.- Nr.:

NVBG050N170M1

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC 1700V M1 52MO D2PAK-7

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

NVBG050N170M1 Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 17.15	CHF 17.15
	CHF 14.04	CHF 140.40
	CHF 12.41	CHF 1 241.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	CHF 12.39	CHF 9 912.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.7 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	50 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	76 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 15 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Qg - Gate-Ladung:	107 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	385 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	22 ns
Serie:	NVBG050N170M1
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	44 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns

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Datenblatt

NVBG050N170M1 Datenblatt

EOL

Product Discontinuation Notification 2026-1-5 (PDF)

ECCN:: EAR99

NVBG050N170M1 Siliciumcarbid-MOSFET (SiC)

Der Siliciumcarbid-MOSFET von onsemi NVBG050N170M1 ist Teil der planaren SiC-MOSFET-Produktfamilie mit 1700 V M1, die für Schnellschaltungs-Applikationen optimiert ist. Dieses MOSFET verfügt über ein maximales R_DS(ON) von 76 mΩ bei 20 V, eine Drain-Source-Spannung von1700 V, einen Dauersenkenstrom von 50 A und eine extrem niedrige Gate-Ladung (typisch_QG(tot) = 107 nC). Der NVBG050N170M1 SiC-MOSFET arbeitet mit geringer effektiver Ausgangskapazität (typisch C_oss = 97 pF) und einer Gate-Source-Spannung von -15 V/+25 V. Dieser SiC-MOSFET ist 100 %-avalanche-getestet und in einem D2PAK-7L-Gehäuse erhältlich. Der NVBG050N170M1 SiC-MOSFET ist bleifrei (2LI), halogenfrei und RoHs-konform mit Ausnahme von 7a. Typische Applikationen umfassen einen Sperrwandler, einen DC/DC-Wandler für EVs/HEVs und On-Board-Ladegeräte (OBCs) für Fahrzeuge.