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IRF100B201

Name: Infineon IRF100B201
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF100B201
Price: 1.69 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

942-IRF100B201

Herst.- Nr.:

IRF100B201

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

Datenblatt:

IRF100B201 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	192 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	170 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	441 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	StrongIRFET
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	100 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	278 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	97 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	110 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	17 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
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ECCN:: EAR99

IRF100x201 HEXFET™ Leistungs-MOSFETs

Die Infineon IRF100x201 HEXFET™ Leistungs-MOSFETs sind 100V-, Einzel-N-Kanal-MOSFETs mit verbesserter Body-Dioden-dV/dt- und DL/dt- Kapazität. Diese MOSFETs verfügen über verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt- Robustheit, voll ausgeprägte Kapazität und Lawinen-SOA (Safe Operating Area - Sicherer Betriebsbereich). Die IRF100x201 MOSFETs sind in TO-220- und D-²-Pak- Gehäusen erhältlich und sind RoHS-konform, blei- und halogenfrei. Zu den Anwendungen gehören gebürstete und BLDC-Motorantriebs-Anwendungen, batteriebetriebene Schaltungen, Halbbrücken- und Vollbrücken-Topologien, Energieversorgung und Leistungsschalter.