Ergebnisse: 155
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Serie Speichergröße Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Max. aktiver Lesestrom Schnittstellen-Typ Maximale Taktfrequenz Organisation Datenbus-Weite Timing-Typ Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Qualifikation Verpackung
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 450
Mult.: 1 450
Rolle: 1 450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 2 400

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 80 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray

Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 235
Mult.: 235

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 80 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous AEC-Q100 Tube
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 676
Mult.: 676

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray

Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 450
Mult.: 1 450
Rolle: 1 450

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 80 MHz Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 676
Mult.: 676

SMD/SMT BGA-24 S70FL01GS 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 128 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SMD/SMT BGA-24 S70FL01GS 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 128 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SMD/SMT BGA-24 S70FL01GS 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 128 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 450
Mult.: 1 450
Rolle: 1 450

SMD/SMT SOIC-16 S70FL01GS 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 128 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 450
Mult.: 1 450
Rolle: 1 450

SMD/SMT SOIC-16 S70FL01GS 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 128 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 676
Mult.: 676

SMD/SMT BGA-24 S70FL01GS 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 80 MHz 128 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SMD/SMT BGA-24 S70FL01GS 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 80 MHz 128 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash Ser NOR-Flash Memory 20 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash Ser NOR-Flash Memory 20 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 450
Mult.: 1 450
Rolle: 1 450

SMD/SMT SOIC-16 S70FL01GS 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S25FL128SDSMFBG13
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 450
Mult.: 1 450
Rolle: 1 450

S25FL128S Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S25FL256SDSMFBG10
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 2 400

SMD/SMT S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Asynchronous, Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S25FL256SDSMFBG13
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 450
Mult.: 1 450
Rolle: 1 450

S25FL256S Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S25FL512SDSBHBC10
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S25FL512SDSBHBC13
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S25FL512SDSBHMC10
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S25FL512SDSBHMC13
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S70FL01GSDSMFB010
Infineon Technologies NOR-Flash IC 1 Gb FLASHMEM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 2 400

SMD/SMT SOIC-16 S70FL01GS 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 80 MHz 128 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S70FL01GSDSMFB013
Infineon Technologies NOR-Flash IC 1 Gb FLASHMEM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 450
Mult.: 1 450
Rolle: 1 450

SMD/SMT SOIC-16 S70FL01GS 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 80 MHz 128 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel