RxP120BLFRA Leistungs-MOSFETs

ROHM Semiconductor RxP120BLFRA Leistungs-MOSFETs sind MOSFETs in Fahrzeugqualität, die nach AEC-Q101 zugelassen sind. Die Bauteile liefern eine Drain-Source-Durchschlagspannung von 100 V, einen statischen Einschaltwiderstand von 62 mΩ und einen Dauersenkenstrom von ±12 A. Die Leistungs-MOSFETs ROHM RxP120BLFRA sind ideal für Fahrzeuganwendungen, einschließlich FAS, Infotainment, Beleuchtung und Karosserie.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs HSMT N CHAN 100V
Datenblatt
2 100Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 62 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN7 N CHAN 100V
Datenblatt
3 000erwartet ab 05.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT DFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 61 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape