MRF1K50N 1500W HF-Leistungstransistor

Die NXP MRF1K50H 1500W-HF-Leistungs-Transistoren kombinieren hohe HF-Ausgangsleistung, überlegene Robustheit und thermische Leistung. Diese LDMOS-Geräte verfügen über umspritzte Kunststoffgehäuse, die gegenüber dem keramischen MRF1K50H einen um bis zu 30% niedrigeren Wärmewiderstand bieten. Die Kunststoffverpackungstechnologie von NXP hilft mehr Leistung von den HF-Transistoren zu extrahieren, während die Herstellbarkeit der Verstärker durch engere Maßtoleranzen und bessere Lötverbindungen vereinfacht wird.

Die NXP MRF1K50N und MRF1K50GNR5 HF-Leistungstransistoren wurden entwickelt, um 1,50kW CW bei 50V zu liefern und die Zahl der Transistoren in den Hochleistungs-HF-Verstärkern zu verringern. Das Eingangs- und Ausgangsdesign dieser Geräte ermöglicht einen breiten Frequenzbereich von 1,8 bis 500 MHz.
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NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V 41Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50
Rolle: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel