AFGHL50T65SQDC

onsemi
863-AFGHL50T65SQDC
AFGHL50T65SQDC

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD

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onsemi
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
100 A
268 W
- 55 C
+ 175 C
AFGHL50T65SQDC
AEC-Q101
Tube
Marke: onsemi
Kollektorgleichstrom Ic max.: 100 A
Kriechstrom Gate-Emitter: 400 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: IGBTs
Handelsname: EliteSiC
Gewicht pro Stück: 7,326 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
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AFGHL50T65SQDC Hybrid-IGBT

Der AFGHL50T65SQDC Hybrid-IGBT von onsemi bietet niedrige Leitungs- und Schaltverluste sowie eine optimale Performance. Der AFGHL50T65SQDC verfügt über einen Strom von 50 A und eine Kollektor-zu-Emitter-Spannung von 650 V. Das Bauteil eignet sich hervorragend für Betriebsabläufe mit hohem Wirkungsgrad in verschiedenen Applikationen, besonders in Totem-Pole-basierten brückenlosen PFCs und Wechselrichtern. Der AFGHL50T65SQDC Hybrid-IGBT ist für Fahrzeuganwendungen AEC-Q100-qualifiziert.