GAN039 Leistungs-GaN-FETs im CPAK1212-Gehäuse

GAN039 Leistungs-GaN-FETs im CPAK1212-Gehäuse von Nexperia bieten Kupfer-Clip-Technologie mit niedriger Induktivität, niedrigen Schaltverlusten und hoher Zuverlässigkeit. Diese Bauteile verzichten auf Drahtbindungen für eine optimierte thermische und elektrische Leistung und bieten eine  Kaskadenkonfiguration, wodurch die Notwendigkeit komplizierter Treiber und Steuerungen entfällt. Die  oberflächenmontierbaren GAN039 FETs  verfügen über eine Oberseitenkühlung (CCPAK1212i) oder eine herkömmliche Unterseitenkühlung (CCPAK1212), um die Wärmeableitung zu verbessern und so zusätzliche Designflexibilität zu ermöglichen. Die Gehäusevarianten CCPAK1212 und CCPAK1212i zeichnen sich durch einen kompakten Footprint aus. Flexible Knickflügel-Leitungen bieten eine robuste Zuverlässigkeit auf Boardebene für Umgebungen mit extremen Temperaturen. Typische Applikationen sind Servomotorantriebe, PV- und UPS-Umrichter, brückenlose Totem-Pole-PFC und weichschaltende Wandler.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Nexperia GaN FETs GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121
Datenblatt
517Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT CCPAK1212i-12 N-Channel 1 Channel 650 V 58.5 A 33 mOhms + 20 V 4.6 V 26 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GAN039-650NBB/SOT8000/CCPAK121
Datenblatt
700Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT CCPAK1212-13 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 30 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement