SQS414CENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix
78-SQS414CENW-T1_GE3
SQS414CENW-T1_GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 2 495

Lagerbestand:
2 495
sofort lieferbar
Auf Bestellung:
12 000
erwartet ab 12.02.2026
Lieferzeit ab Hersteller:
4
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 0.819 CHF 0.82
CHF 0.524 CHF 5.24
CHF 0.345 CHF 34.50
CHF 0.271 CHF 135.50
CHF 0.246 CHF 246.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.212 CHF 636.00
CHF 0.196 CHF 1 176.00
CHF 0.184 CHF 1 656.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK 1212-8
N-Channel
1 Channel
60 V
18 A
23 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
8.9 nC
- 55 C
+ 175 C
33 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay / Siliconix
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 9.6 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 4 ns
Serie: SQS
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8 ns
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

PowerPAK® 1212-MOSFETs

Die POWERPAK ® 1212 MOSFETs von Vishay  eignen sich hervorragend für Schaltapplikationen, verfügen über einen Einschaltwiderstand von ca. 1 m,Ω und können bis zu 85A verarbeiten. Das Vishay  POWERPAK 1212 führt eine Gehäusetechnologie ein, um das Risiko einer Verschlechterung von Hochleistungs-Chips zu verringern. Dieses Gehäuse bietet eine extrem niedrige thermische Impedanz in einem kompakten Design, wodurch es sich hervorragend für Applikationen mit eingeschränktem Platz eignet.

SQS414CENW 60-V-Automotive-n-Kanal-MOSFETs (D-S) von 175 °C

Vishay / Siliconix SQS414CENW 60-V-Automotive-n-Kanal-MOSFETs (D-S) von 175°C bieten die TrenchFET®-Leistungs-MOSFET-Technologie in einem PowerPAK ® -1212-8-W-Einzelgehäuse. Der AEC-Q101-qualifizierte SQS414CENW bietet eine Drain-Quellenspannung von 60 V und einen Dauersenkenstrom von 18 A. Die SQS414CENW 60-V-Automotive-n-Kanal-MOSFETs (D-S) von 175°C von Vishay / Siliconix sind für Fahrzeuganwendungen ausgelegt.