DRV8770RGER

Texas Instruments
595-DRV8770RGER
DRV8770RGER

Herst.:

Beschreibung:
Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber 100V H-bridge gate d river 24-VQFN -40 t

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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 2.10 CHF 2.10
CHF 1.56 CHF 15.60
CHF 1.43 CHF 35.75
CHF 1.28 CHF 128.00
CHF 1.21 CHF 302.50
CHF 1.17 CHF 585.00
CHF 1.13 CHF 1 130.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 1.04 CHF 3 120.00
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Texas Instruments
Produktkategorie: Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber
RoHS:  
Brushed DC Motor Drivers
Half Bridge
1.5 A
750 mA
- 40 C
+ 125 C
SMD/SMT
VQFN-24
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Anzahl der Ausgänge: 1 Output
Betriebsfrequenz: 0 Hz to 200 kHz
Produkt-Typ: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Serie: DRV8770
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.: 20 V
Versorgungsspannung - Min.: 5 V
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

Integrierter Motortreiber DRV8x von Texas Instruments

Die Motortreiber DRV8x von Texas Instruments sind für elektromagnetische Motoren bestimmt, beispielsweise für Motoren mit Bürsten und bürstenlose Motoren, Schrittmotoren und andere elektromechanische Antriebe. Die TI DRV8x-Familie der integrierten Motortreiber ermöglicht es, Motoren mit gutem Anlaufverhalten zu konstruieren, wodurch sich Produkteinführungszeiten verkürzen und die Konstruktion in hohem Maße vereinfacht wird. Durch die Integration von Gate-Treiber-Schaltungen, Messverstärkern, Schutz, FETS, Industrienorm-Steuerungsschnittstellen und Treiberalgorithmen wurden die Konstruktionskomplexität, Platinenfläche und die Anlaufzeit wesentlich verringert. Mit der chipinternen Schutzschaltung, einschließlich vor Überstrom, Überhitzung, Shoot-Through und Unterspannung, ist die DRV8x-Familie robust, zuverlässig und vollständig geschützt.

DRV8770 100-V-Bürsten-DC-Gate-Treiber

Der DRV8770 100-V-Bürsten-DC-Gate-Treiber von Texas Instruments bietet drei Halbbrücken-Gate-Treiber, die jeweils High- und Low-Side-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern können. Die integrierte Bootstrap-Diode und der externe Kondensator erzeugt die richtigen Gate-Drive-Spannungen für die High-Side-MOSFETs, während der GVDD die Gates auf den Low-Side-MOSFETs ansteuern. Die Gate-Drive-Architektur unterstützt Gate-Drive-Ströme von bis zu 750 mA Quelle und 1,5 A Senke. Die Hochspannungstoleranz der Gate-Drive-Pins verbessert die Systemrobustheit.