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GP2T030A170H

Name: SemiQ GP2T030A170H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T030A170H
Price: 23.51 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GP2T030A170H

Herst.- Nr.:

GP2T030A170H

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SiC MOSFET 1700V, 30mohm TO-247-4L, Industrial

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

GP2T030A170H Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 23.51	CHF 23.51
	CHF 19.65	CHF 196.50
	CHF 17.18	CHF 2 061.60
2 520	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.7 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	83 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	36 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.7 V
Qg - Gate-Ladung:	233 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	564 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	21 ns
Verpackung:	Tube
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	8 ns
Serie:	GP2T
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	48 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns

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Datenblatt

GP2T030A170H Datenblatt (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GP2T030A170 QSiC™ 1700V SiC MOSFET

SemiQ GP2T030A170 QSiC™ 1700V SiC MOSFET is engineered for medium-voltage high-power conversion applications, enabling more compact system designs at a large scale with lower system costs and higher power densities. This high-speed, switching planar D-MOSFET offers a reliable body diode that operates up to +175°C. The module is tested beyond 1900V and UIL avalanche tested to 600mJ. The series delivers low switching and conduction losses and low capacitance. The 1700V device also features a rugged gate oxide for long-term reliability and undergoes wafer-level burn-in (WLBI) to screen out potentially weak oxide devices. SemiQ GP2T030A170 QSiC 1700V SiC MOSFET is a four-pin TO-247-4L-packaged discrete with drain, source, driver source, and gate pins. Applications include solar inverters, electric vehicle (EV) charging stations, and motor drives.