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IXSH80N120L2KHV

Name: IXYS IXSH80N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH80N120L2KHV
Price: 12.14 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXSH80N120L2KHV

Herst.- Nr.:

IXSH80N120L2KHV

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IXSH80N120L2KHV Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	12.14 CHF	12.14 CHF
	9.25 CHF	92.50 CHF
	7.70 CHF	924.00 CHF
	6.86 CHF	3 498.60 CHF
	6.42 CHF	6 548.40 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4L
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	79 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	39 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Qg - Gate-Ladung:	135 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	395 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	14 ns
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	24.4 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	SiC MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	28.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12.8 ns

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Datenblatt

IXSH80N120L2KHV Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET

Der IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET ist ein Industriestandard-SiC-MOSFET mit Einzelschalter, der sich durch gute Leistungszykluseigenschaften und ein sehr schnelles, verlustarmes Schaltverhalten auszeichnet. Dieser MOSFET ist mit einer ultraschnellen intrinsischen Bodydiode ausgelegt und bietet eine maximale virtuelle Sperrschichttemperatur von 175°oC. Der IXSH80N120L2KHV MOSFET verfügt über eine hohe Sperrspannung mit niedrigem On-Widerstand und Hochgeschwindigkeitsschaltung mit niedriger Kapazität. Der IXSH80N120L2KHV MOSFET wird in Schaltnetzteilen, Solar-Wechselrichtern, USV, Motorantrieben, DC/DC-Wandlern, EV-Ladeinfrastruktur und Induktionserwärmungsapplikationen verwendet.