Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

IXSH80N120L2KHV

Name: IXYS IXSH80N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH80N120L2KHV
Price: 11.79 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXSH80N120L2KHV

Herst.- Nr.:

IXSH80N120L2KHV

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IXSH80N120L2KHV Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu IXYS IXSH80N120L2KHV

Auf Lager: 392

Lagerbestand:: 392 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 27 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	11.79 CHF	11.79 CHF
	8.27 CHF	82.70 CHF
	6.50 CHF	780.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4L
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	79 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	39 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Qg - Gate-Ladung:	135 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	395 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	14 ns
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	24.4 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	SiC MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	28.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12.8 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IXSH80N120L2KHV Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Kommerzielle & taktische UAV-Systeme

Die kommerziellen und taktischen UAV-Systeme (Unmanned Aerial Vehicle) von Littelfuse bieten Lösungen für den Schutz von Lithium-Ionen-Akkus, Akkuladegeräte und die Stromverteilung. Diese Systeme verfügen über Sicherungen zum Schutz des Eingangs bzw. zum Überstromschutz, MOSFETs zur Halbleiterschaltung sowie TVS-Dioden zum Schutz des DC-Ausgangs vor Transienten und Überspannungen. Die kommerziellen und taktischen UAV-Systeme bieten einen Batterieschutz für Spannungen > 60 V und verfügen über eine Fehlerisolierung für die Hauptbatterie, eine Batterietrennung/Strompfadsteuerung (Unterstützung der Vorladung) sowie einen Überstromschutz für die Abzweigstromkreise. Typische Applikationen umfassen Nachrichtendienst, Überwachung und Aufklärung (ISR), Militär, Grenzüberwachung, Landwirtschaft, Liefer- und Logistikwesen, Inspektion und öffentliche Sicherheit.

Kraftstoffbetriebene/hybride Militär-UAV-Systeme

Die kraftstoffbetriebenen/hybriden militärischen unbemannten Luftfahrzeugsysteme (UAV) von Littelfuse bieten Lösungen für die Leistungsumwandlung und den DC-Bus, die Stromverteilung sowie Ladegeräte und Bodenstromversorgung. Diese Systeme unterstützen die Leistungsumwandlung und verfügen über einen DC-Bus mit einer Gleichrichterdiode, die die AC-Netzspannung in DC umwandelt. Die kraftstoffbetriebenen/hybriden militärischen unbemannten Luftfahrzeugsysteme (UAV) bieten TVS-Dioden, Sicherungen und MOSFETs für Halbleiterschalter, Überspannungsschutz und Gleichrichtung. Diese Systeme bieten Produkte in AEC-Q/MIL-Qualität für verschiedene Anwendungsbereiche. Typische Applikationen sind Nachrichtendienst, Überwachung und Aufklärung (ISR), Militär sowie Grenzüberwachung.

Drohnen-Subsysteme

Die Drohnen-Subsysteme von Littelfuse bieten Lösungen für USB-C-PD- und Lithium-Ionen-Akkuladegeräte, Akkusysteme und BLDC-Motoren. Diese Subsysteme bieten Sicherungen für verschiedene Funktionen, darunter Überstromschutz und Fehlerisolierung für den Wechselstromeingang sowie Schutz für den Akku, den nachgeschalteten Controller, das Akkupack, die Verkabelung und den Controller. Die Drohnen-Subsysteme bieten TVS-Dioden zur Unterdrückung von Schalttransienten auf der Primärseite sowie einen Überspannungsschutz für die Messleitungs-Eingänge der Zellenüberwachungs-ICs. Diese Subsysteme eignen sich für verschiedene Drohnen, darunter Spielzeugdrohnen, Kameradrohnen, First-Person-View-Drohnen (FPV), Drohnen für den Unternehmens- und Industriebereich, Drohnen für Nachrichtendienst, Überwachung und Aufklärung (ISR), Inspektions- und Kartierungsdrohnen, Drohnen für die Landwirtschaft sowie Schwerlastdrohnen. Typische Applikationen umfassen Liefer- und Logistikwesen, öffentliche Sicherheit, Grenzüberwachung und Militär.

IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET

Der IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET ist ein Industriestandard-SiC-MOSFET mit Einzelschalter, der sich durch gute Leistungszykluseigenschaften und ein sehr schnelles, verlustarmes Schaltverhalten auszeichnet. Dieser MOSFET ist mit einer ultraschnellen intrinsischen Bodydiode ausgelegt und bietet eine maximale virtuelle Sperrschichttemperatur von 175°oC. Der IXSH80N120L2KHV MOSFET verfügt über eine hohe Sperrspannung mit niedrigem On-Widerstand und Hochgeschwindigkeitsschaltung mit niedriger Kapazität. Der IXSH80N120L2KHV MOSFET wird in Schaltnetzteilen, Solar-Wechselrichtern, USV, Motorantrieben, DC/DC-Wandlern, EV-Ladeinfrastruktur und Induktionserwärmungsapplikationen verwendet.