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BYV10D-600PJ

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BYV10D-600PJ

Herst.- Nr.:

BYV10D-600PJ

Herst.:

WeEn Semiconductors

Beschreibung:

Kleinsignal-Schaltdioden BYV10D-600P/TO252/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Datenblatt:

BYV10D-600PJ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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CHF -.--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.778	CHF 0.78
	CHF 0.479	CHF 4.79
	CHF 0.328	CHF 32.80
	CHF 0.257	CHF 128.50
	CHF 0.22	CHF 220.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.187	CHF 467.50
	CHF 0.151	CHF 755.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	WeEn Semiconductors
Produktkategorie:	Kleinsignal-Schaltdioden
RoHS:
REACH - SVHC:
Produkt:	Power Diodes
Montageart:	SMD/SMT
Spitzensperrspannung:	600 V
Max. Spitzenstrom:	132 A
If - Durchlassstrom:	10 A
Konfiguration:	Single
Rückstellungszeit:	40 ns
Vf - Durchlassspannung:	1.07 V
Ir - Sperrstrom:	10 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	WeEn Semiconductors
Produkt-Typ:	Diodes - General Purpose, Power, Switching
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Artikel # Aliases:	934072251118

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Datenblatt

BYV10D-600PJ Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

BYV10D-600P Ultrafast Power Diode

WeEn Semiconductors BYV10D-600P Ultrafast Power Diode offers a low thermal resistance in a TO-252 (DPAK) plastic package. The BYV10D-600P Ultrafast Power Diode features a low forward voltage drop, low reverse recovery current, and low leakage current. The WeEn Semi BYV10D-600P Diode has a 600V repetitive peak reverse voltage and a junction temperature of +175°C.