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TP65H015G5WS

Name: Renesas Electronics TP65H015G5WS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H015G5WS
Price: 17.73 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP65H015G5WS

Herst.- Nr.:

TP65H015G5WS

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47

Datenblatt:

TP65H015G5WS Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	17.73 CHF	17.73 CHF
	11.87 CHF	118.70 CHF
	10.58 CHF	1 058.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	95 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	18 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	68 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	276 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Renesas Electronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	20 ns
Verpackung ab Werk:	900
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Regelabschaltverzögerungszeit:	132 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	78 ns

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Datenblatt

TP65H015G5WS Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

TP65H015G5WS SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H015G5WS SuperGaN^®ist ein 650 V, 15 mΩ Galliumnitrid (GaN) FET mit normalerweise geschlossenem Schaltkreis, der eine Gen V SuperGaN-Plattform implementiert. Die Plattform verwendet fortschrittliche Epi- und patentierte Designtechnologien. Diese Renesas TP65H015G5WS-Funktionen vereinfachen die Fertigung und verbessern gleichzeitig den Wirkungsgrad gegenüber Silizium durch eine geringere elektrische Ladung des Gate, Ausgangskapazität, Überschneidungswiderstand und Sperrverzögerungsladung.