SiC-MOSFETs – Mouser Schweiz

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AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs

Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für Automotive- und Schaltnetzteile. Die SiC-Leistungs-MOSFETs können zur Erhöhung der Schaltfrequenz eingesetzt werden, wodurch die Menge der erforderlichen Kondensatoren, Drosseln und anderen Komponenten verringert wird. Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs bieten eine ausgezeichnete Größen- und Gewichtsreduzierung in verschiedenen Antriebssystemen, wie z. B. Wechselrichtern und DC-DC-Wandlern in Fahrzeugen.

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Ergebnisse: 34

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Montageart

Verpackung/Gehäuse

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Minimale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

Qualifikation

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Teile-Nr.

SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC

SCT4062KW7HRTL
ROHM Semiconductor
1: CHF 9.72
1 201Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT4062KW7HRTL

Mouser-Teilenr.
755-SCT4062KW7HRTL

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC

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Datenblatt

1 201Auf Lager

Cut-Tape

CHF 9.72

CHF 8.53

CHF 7.15

CHF 7.00

Reel

CHF 6.92

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

24 A

81 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

64 nC

+ 175 C

93 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC

SCT4062KWAHRTL
ROHM Semiconductor
1: CHF 9.19
1 488Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT4062KWAHRTL

Mouser-Teilenr.
755-SCT4062KWAHRTL

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC

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Datenblatt

1 488Auf Lager

Cut-Tape

CHF 9.19

CHF 6.52

CHF 5.54

Reel

CHF 4.70

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7LA

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

24 A

81 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

64 nC

+ 175 C

93 W

Enhancement

SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC

SCT4062KWATL
ROHM Semiconductor
1: CHF 8.73
750Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT4062KWATL

Mouser-Teilenr.
755-SCT4062KWATL

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC

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Datenblatt

750Auf Lager

Cut-Tape

CHF 8.73

CHF 6.37

CHF 5.12

CHF 4.57

Reel

CHF 4.57

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

24 A

62 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

64 nC

+ 175 C

93 W

Enhancement

SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC

SCT4018KRC15
ROHM Semiconductor
1: CHF 28.73
6Auf Lager
450erwartet ab 18.06.2026

Herst. Teilenr.
SCT4018KRC15

Mouser-Teilenr.
755-SCT4018KRC15

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC

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Datenblatt

6Auf Lager

450erwartet ab 18.06.2026

CHF 28.73

CHF 21.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

81 A

23.4 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

170 nC

+ 175 C

312 W

Enhancement

SiC-MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC

SCT4045DRHRC15
ROHM Semiconductor
1: CHF 10.22
321Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT4045DRHRC15

Mouser-Teilenr.
755-SCT4045DRHRC15

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC

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Datenblatt

321Auf Lager

CHF 10.22

CHF 6.69

CHF 5.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

34 A

59 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

63 nC

+ 175 C

115 W

Enhancement

SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC

SCT4062KRC15
ROHM Semiconductor
1: CHF 9.45
85Auf Lager
450erwartet ab 18.06.2026

Herst. Teilenr.
SCT4062KRC15

Mouser-Teilenr.
755-SCT4062KRC15

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC

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Datenblatt

85Auf Lager

450erwartet ab 18.06.2026

CHF 9.45

CHF 8.09

CHF 7.07

CHF 6.66

Kostenvoranschlag

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

81 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

64 nC

+ 175 C

115 W

Enhancement

SiC-MOSFETs 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N

SCT2080KEHRC11
ROHM Semiconductor
1: CHF 21.71
117Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT2080KEHRC11

Mouser-Teilenr.
755-SCT2080KEHRC11

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFETs 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N

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Datenblatt

Produkt-Kommentare

117Auf Lager

CHF 21.71

CHF 20.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

80 mOhms

- 6 V, + 22 V

1.6 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N

SCT3120ALHRC11
ROHM Semiconductor
1: CHF 4.60
450erwartet ab 23.07.2026

Herst. Teilenr.
SCT3120ALHRC11

Mouser-Teilenr.
755-SCT3120ALHRC11

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFETs 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N

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Datenblatt

Produkt-Kommentare

450erwartet ab 23.07.2026

CHF 4.60

CHF 4.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

156 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

38 nC

+ 175 C

103 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N

SCT3022ALHRC11
ROHM Semiconductor
450: CHF 45.71
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen

Herst. Teilenr.
SCT3022ALHRC11

Mouser-Teilenr.
755-SCT3022ALHRC11

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFETs 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N

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Datenblatt

Produkt-Kommentare

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen

CHF 45.71

Min.: 450
Mult.: 450

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

93 A

28.6 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

339 W

Enhancement

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