XBP14E5UFN-G

Name: Torex Semiconductor XBP14E5UFN-G
Brand: Torex Semiconductor
SKU: 865-XBP14E5UFN-G
Price: 0.38 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

865-XBP14E5UFN-G

Herst.- Nr.:

XBP14E5UFN-G

Herst.:

Torex Semiconductor

Beschreibung:

ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden Low Capacitance TVS Diode Array

Datenblatt:

XBP14E5UFN-G Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.381	CHF 0.38
	CHF 0.339	CHF 33.90
	CHF 0.333	CHF 166.50
	CHF 0.238	CHF 238.00
	CHF 0.22	CHF 550.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	CHF 0.109	CHF 545.00
	CHF 0.094	CHF 940.00
	CHF 0.089	CHF 2 225.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Torex Semiconductor
Produktkategorie:	ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden
RoHS:
Polung:	Unidirectional
Anzahl der Kanäle:	4 Channel
Arbeitsspannung:	5 V
Montage:	SMD/SMT
Klemmspannung:	13 V
Überschlagsspannung:	6 V
Verpackung/Gehäuse:	DFN-2510-10
Ipp - Spitzen-Impulsstrom:	2.5 A
Cd - Diodenkapazität:	0.8 pF
Vesd - Spannung ESD-Kontakt:	8 kV
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Torex Semiconductor
Produkt:	TVS Diodes
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes

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Datenblatt

XBP14E5UFN-G Datenblatt (PDF)

RoHS Certificate (PDF)

CNHTS:: 8536300000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411029
ECCN:: EAR99

XBP14E5UFN Low Capacitance TVS Diode Arrays

Torex XBP14E5UFN Low Capacitance TVS Diode Arrays are mounted adjacent to an external interface to protect an IC installed in a subsequent stage from static discharge. The low capacitance TVS diode array has a junction temperature of 125ºC and a storage temperature of -55 to +150ºC. The arrays also provide a breakdown voltage range (V_BR) of 6V to 9V. The TVS diode array comes in an ideal package size of DFN2510-10A.