XBP14E5UFN-G

Torex Semiconductor
865-XBP14E5UFN-G
XBP14E5UFN-G

Herst.:

Beschreibung:
ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden Low Capacitance TVS Diode Array

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 2 972

Lagerbestand:
2 972 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
10 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-.-- CHF
Erw. Preis:
-.-- CHF
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
0.634 CHF 0.63 CHF
0.392 CHF 3.92 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
0.14 CHF 700.00 CHF
0.136 CHF 3 400.00 CHF
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Torex Semiconductor
Produktkategorie: ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden
RoHS:  
Unidirectional
4 Channel
5 V
SMD/SMT
13 V
6 V
DFN-2510-10
2.5 A
0.8 pF
8 kV
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Torex Semiconductor
Produkt: TVS Diodes
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: ESD Protection Diodes / TVS Diodes
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8536300000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411029
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Japan
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

XBP14E5UFN Low Capacitance TVS Diode Arrays

Torex XBP14E5UFN Low Capacitance TVS Diode Arrays are mounted adjacent to an external interface to protect an IC installed in a subsequent stage from static discharge. The low capacitance TVS diode array has a junction temperature of 125ºC and a storage temperature of -55 to +150ºC. The arrays also provide a breakdown voltage range (VBR) of 6V to 9V. The TVS diode array comes in an ideal package size of DFN2510-10A.