Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

FGY100T120RWD

Name: onsemi FGY100T120RWD
Brand: onsemi
SKU: 863-FGY100T120RWD
Price: 11.29 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FGY100T120RWD

Herst.- Nr.:

FGY100T120RWD

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs 1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT

Datenblatt:

FGY100T120RWD Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi FGY100T120RWD

Auf Lager: 754

Lagerbestand:: 754 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 15 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 11.29	CHF 11.29
	CHF 6.68	CHF 66.80
	CHF 6.57	CHF 657.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.43 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	200 A
Pd - Verlustleistung:	1.495 kW
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	FGY100T120RWD
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom Ic max.:	200 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	IGBTs

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

FGY100T120RWD Datenblatt

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FGY100T120RWD IGBTs

Die FGY100T120RWD IGBTs von onsemi vereinen eine neuartige Feldstopp-IGBT-Technologie der 7. Generation in einem TO247-Gehäuse mit 3 Anschlüssen. Der FGY100T120RWD verfügt über eine optimale Leistung, geringe Leitungsverluste und eine gute Schaltsteuerbarkeit. Die FGY100T120RWD-IGBTs von onsemi bieten einen Betrieb mit hohem Wirkungsgrad in verschiedenen Applikationen, einschließlich Motorsteuerung, USV, Rechenzentrum und Hochleistungsschalter.

Industrielle Motorantriebe

onsemi Industrie-Motorantriebe sind für die globale Nachhaltigkeit ausgelegt und liefern effiziente, erneuerbare Technologien und intelligente Leistung. Laut der vom US- Energieministerium (DOE) veröffentlichten Marktanalyse für 2020 (MSMA) verbrauchen Industriepumpen und Laufwerke jährlich fast 15 % des gesamten US- Rasters. Die MSMA von 2020 schätzt auch, dass jährlich 32,3 Millionen Tonnen CO2-Emissionen eingespart werden können, indem VFDs eingesetzt werden. Onsemi stellt eine breite Palette von VFD Halbleiter Bauelementen her, einschließlich Gate-Treiber. MOSFETs IGBTs und EliteSiC.