NCP81075 Dual-MOSFET-Gate-Treiber
Der onsemi NCP81075 Dual-MOSFET-Gate-Treiber ist zur Ansteuerung von High-Side- und Low-Side-Leistungs-MOSFETs in einem synchronen Abwärtswandler ausgelegt. Der NCP81075 enthält einen Treiber-IC und eine On-Chip-Bootstrap-Diode, wodurch die Notwendigkeit für eine externe diskrete Diode entfällt. Ein potentialfreies Top-Treiber-Design ermöglicht eine HB-Spannung von bis zu 180 V. Low-Side und High-Side werden unabhängig voneinander gesteuert und sind zwischen ihrem jeweiligen Ein- und Ausschalten auf bis zu 4 ns aufeinander abgestimmt. Fällt die Antriebsspannung unter einen bestimmten Schwellenwert, setzt eine unabhängige Unterspannungssperre, die für den High-Side- und Low-Side-Treiber bereitgestellt wird, den Ausgang auf Niedrig. Der NCP81075 wird in bleifreien, halogen-/BFR-freien und RoHS-konformen SOIC-8-, DFN8- und WDFN10-Gehäusen für Design-Flexibilität angeboten.
