1.200-V-Dual-IGBT-Module

Die Infineon 1.200 V Dual-IGBT-Module sind EconoDUAL™ 3 1.200 V, 900 A Dual-TRENCHSTOP™ IGBT7-Module mit emittergesteuerter 7 Diode, NTC und PressFIT-Kontakttechnologie. Die IGBT-Module bieten einen höheren Wechselrichter-Ausgangsstrom für die gleiche Rahmengröße und Vermeidung von Parallelschaltung. Die 1.200-V-Dual-IGBT-Module von Infineon bieten eine einfache und zuverlässige Montage mit einer hohen Zuverlässigkeit der Verbindungen.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 450 A dual IGBT module
Datenblatt
17Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 600 A dual IGBT module
Datenblatt
19Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 900 A dual IGBT module
Datenblatt
6Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module 650 V, 450 A dual IGBT module
Datenblatt
9Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 560 A 100 nA 1.45 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module MEDIUM POWER 62MM
Datenblatt
10Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 600 A dual IGBT module
Datenblatt
38Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 900 A dual IGBT module
Datenblatt
22Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 600 A dual IGBT Module
Datenblatt
9Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module MEDIUM POWER 62MM
Datenblatt
20erwartet ab 08.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 750 A dual IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 100 A PIM IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Tray