Neueste Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs

STMicroelectronics bietet die neuesten Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs. ST bietet ein großes Portfolio an MOSFETS und IGBTs an, die auf ihre spezifische Applikation zugeschnitten ist und für SNT-, Beleuchtungs-, Motorsteuerungs- und verschiedene Industrieapplikationen ausgelegt sind. Das Portfolio von ST umfasst Hochspannungs-Super-Junction-MOSFETs und Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs für harte und weiche Schalttopologien und Trench-basierte Niederspannungs-MOSFETs für die Leistungsumwandlung und BLDC-Motorantriebe. Die neuesten 1.200-V-SiC-MOSFETs von ST vereinen die branchenweit höchste Sperrschichttemperatur von 200 °C mit einem sehr niedrigen RDS(on)-Bereich (mit minimaler Veränderung gegenüber Temperatur) und einer ausgezeichneten Schaltleistung für effizientere und kompakte SNT-Designs. Für die Motorsteuerung bieten die IGBTs der M-Baureihe einen optimierten Kompromiss von VCE(SAT) und E(off) zusammen mit einer robusten Kurzschlussbeständigkeit. Entdecken Sie das komplette Angebot von ST an MOSFETs und IGBTs für SNT-Designs.

Arten von diskreten Halbleitern
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STMicroelectronics IGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247
STMicroelectronics IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.475 Ohm typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x5-12
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5
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4 169Auf Lager
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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1 617Auf Lager
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET
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2 229Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
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3 288Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 100V 2.5mOhm 180A STripFET VII
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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1 000erwartet ab 30.03.2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 Volt 33 Amp
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3