Neueste Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs

STMicroelectronics bietet die neuesten Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs. ST bietet ein großes Portfolio an MOSFETS und IGBTs an, die auf ihre spezifische Applikation zugeschnitten ist und für SNT-, Beleuchtungs-, Motorsteuerungs- und verschiedene Industrieapplikationen ausgelegt sind. Das Portfolio von ST umfasst Hochspannungs-Super-Junction-MOSFETs und Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs für harte und weiche Schalttopologien und Trench-basierte Niederspannungs-MOSFETs für die Leistungsumwandlung und BLDC-Motorantriebe. Die neuesten 1.200-V-SiC-MOSFETs von ST vereinen die branchenweit höchste Sperrschichttemperatur von 200 °C mit einem sehr niedrigen RDS(on)-Bereich (mit minimaler Veränderung gegenüber Temperatur) und einer ausgezeichneten Schaltleistung für effizientere und kompakte SNT-Designs. Für die Motorsteuerung bieten die IGBTs der M-Baureihe einen optimierten Kompromiss von VCE(SAT) und E(off) zusammen mit einer robusten Kurzschlussbeständigkeit. Entdecken Sie das komplette Angebot von ST an MOSFETs und IGBTs für SNT-Designs.

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STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
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290Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
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209Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2
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255Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
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461Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
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132Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
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127Auf Lager
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 600
Mult.: 300

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 600
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3