Neueste Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs

STMicroelectronics bietet die neuesten Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs. ST bietet ein großes Portfolio an MOSFETS und IGBTs an, die auf ihre spezifische Applikation zugeschnitten ist und für SNT-, Beleuchtungs-, Motorsteuerungs- und verschiedene Industrieapplikationen ausgelegt sind. Das Portfolio von ST umfasst Hochspannungs-Super-Junction-MOSFETs und Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs für harte und weiche Schalttopologien und Trench-basierte Niederspannungs-MOSFETs für die Leistungsumwandlung und BLDC-Motorantriebe. Die neuesten 1.200-V-SiC-MOSFETs von ST vereinen die branchenweit höchste Sperrschichttemperatur von 200 °C mit einem sehr niedrigen RDS(on)-Bereich (mit minimaler Veränderung gegenüber Temperatur) und einer ausgezeichneten Schaltleistung für effizientere und kompakte SNT-Designs. Für die Motorsteuerung bieten die IGBTs der M-Baureihe einen optimierten Kompromiss von VCE(SAT) und E(off) zusammen mit einer robusten Kurzschlussbeständigkeit. Entdecken Sie das komplette Angebot von ST an MOSFETs und IGBTs für SNT-Designs.

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STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
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600erwartet ab 09.03.2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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903Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET-Module N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
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MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
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3 951erwartet ab 16.03.2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
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2 979erwartet ab 28.09.2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
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643Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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292Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 88 A MDmesh M5 Power MOSFET in a ISOTOP package
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399erwartet ab 23.11.2026
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MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
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1 106Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2
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995Auf Bestellung
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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1 200erwartet ab 13.04.2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
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1 200erwartet ab 09.03.2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 65V 33A MDMESH
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF