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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Kanalmodus
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
Datenblatt
1 560Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 473Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 572Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 75 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1 685Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 75 mOhms Enhancement