SiSS52DN und SiSS54DN n-Kanal-TrenchFET®-Gen-V-MOSFETs
Der Vishay/Siliconix SiSS52DN und SiSS54DN n-Kanal-TrenchFET-Gen-V-Leistungs-MOSFET ermöglicht eine höhere Leistungsdichte mit sehr niedrigem RDS (on). Dieser Leistungs-MOSFET bietet 30 V VDS und eine sehr niedrige RDS x Qg -Gütezahl (FOM). Der SiSS52DN n-Kanal-MOSFET verfügt typischerweise über 162 A ID und 19.9nC QG. Während der SiSS54DN n-Kanal-MOSFET typischerweise über 185,6 A ID und 21 nC Qg verfügt.Dieser 100 % Rg — und UIS-getestete (Unclamped Inductive Switching, UIS) MOSFET wird in einem thermisch verbesserten kompakten PowerPAK® 1212-8S -Gehäuse mit einer Einzelkonfiguration geliefert. Zu den typischen Anwendungsfällen gehören DC/DC-Wandler, Punktlast (POLs), Synchrongleichrichtung, Leistungs- und Lastschalter und Batteriemanagement.
