Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

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onsemi Gate-Treiber HIGH CURRENT IGBT GATE DR 2 576Auf Lager
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onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE 1 378Auf Lager
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onsemi Gate-Treiber HIGH CURRENT IGBT GATE DR 2 807Auf Lager
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber GALVANIC ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER 3 326Auf Lager
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 2 060Auf Lager
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 16 2 176Auf Lager
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onsemi Gate-Treiber 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver 1 000Auf Lager
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver 931Auf Lager
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 686Auf Lager
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1 1 326Auf Lager
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 689Auf Lager
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART 181Auf Lager
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V 221Auf Lager
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onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE 634Auf Lager
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V 428Auf Lager
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART 224Auf Lager
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