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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung

IXYS IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
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192Auf Lager
270erwartet ab 11.08.2026
Min.: 1
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Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 2.6 V 20 V 60 A 220 W - 55 C + 150 C IXGH30N60 Tube

IXYS IGBTs 75Amps 1200V
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38Auf Lager
300erwartet ab 16.02.2026
Min.: 1
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Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 4.4 V - 20 V, 20 V 75 A 380 W - 55 C + 150 C IXGH40N120 Tube

IXYS IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
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188Auf Lager
300erwartet ab 11.08.2026
Min.: 1
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Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.35 V - 20 V, 20 V 120 A 300 W - 55 C + 150 C IXGH48N60 Tube

IXYS IGBTs 72 Amps 600V 1.35 Rds
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247Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.35 V - 20 V, 20 V 75 A 540 W - 55 C + 150 C IXGH72N60 Tube
IXYS IGBTs GenX3 1200V IGBTs
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4Auf Lager
300erwartet ab 21.10.2026
Min.: 1
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Si TO-220AB-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V 20 V 22 A 100 W - 55 C + 150 C IXGP12N120 Tube
IXYS IGBTs TO220 600V 48A GENX3
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311Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.18 V - 20 V, 20 V 120 A 300 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBTs 20 Amps 1700 V 4 V Rds
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30Auf Lager
Min.: 1
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Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 20 A 110 W - 55 C + 150 C IXGT10N170 Tube
IXYS IGBTs GenX3 600V IGBTs
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5Auf Lager
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Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 600 V 1.35 V 20 V 75 A 540 W - 55 C + 150 C IXGT72N60 Tube

IXYS IGBTs TO247 600V 150A XPT
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133Auf Lager
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Si Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 300 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Planar Tube

IXYS IGBTs TO247 600V 30A XPT
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158Auf Lager
Min.: 1
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Si Single - 20 V, 20 V Planar Tube

IXYS IGBTs XPT 600V IGBT 30A
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146Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole Single 600 V 2.4 V - 20 V, 20 V 60 A 270 W - 55 C + 175 C IXXH30N60 Tube
IXYS IGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
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6Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs TO247 1700V 16A IGBT
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81Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 40 A 310 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
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217Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 36 A 230 W - 55 C + 150 C IXYH20N120 Tube
IXYS IGBTs 1200V XPT GenX3 IGBT
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240Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 75 A 500 W - 55 C + 150 C IXYH30N120 Tube
IXYS IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
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66Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 90 A 577 W - 55 C + 175 C IXYH40N120 Tube
IXYS IGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
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108Auf Lager
300erwartet ab 16.07.2026
Min.: 1
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Si TO-247AD-3 Through Hole Single 900 V 2.5 V - 20 V, 20 V 90 A 500 W - 55 C + 150 C IXYH40N90 Tube
IXYS IGBTs TO247 1200V 55A XPT
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67Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 175 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
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350Auf Lager
250erwartet ab 27.03.2026
Min.: 1
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Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 75 A 500 W - 55 C + 175 C IXYP30N120 Tube
IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
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265Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Tube

IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
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110Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V - 20 V, 20 V 310 A 1.36 kW - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 7 Tube
IXYS IGBTs 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3
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31Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-252-3 SMD/SMT Single 900 V 3 V - 20 V, 20 V 20 A 125 W - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS IGBTs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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58Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 78 A 325 W - 40 C + 125 C IXA45IF1200HB Tube

IXYS IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
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59Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 75 A 380 W - 55 C + 150 C IXGH40N120 Tube
IXYS IGBTs 120 Amps 600V
Datenblatt
5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 600 V 1.2 V - 20 V, 20 V 200 A 780 W - 55 C + 150 C IXGX120N60 Tube