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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 250 A 830 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 190 A 830 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs SOT227 650V 270A GENX3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.5 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs 1200V XPT IGBT GenX3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C IXYN82N120 Tube
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.95 V - 20 V, 20 V 32 A 160 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 50

Si - 20 V, 20 V Planar Tube
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 2.27 V - 20 V, 20 V 15 A 53 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs TO220 650V 15A GENX3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Single 650 V 2.5 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS IGBTs TO263 1200V 20A XPT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX48 Tube
IXYS IGBTs TO220 1200V 20A IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 76 A 375 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs TO247 1200V 20A IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 68 A 375 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX49 Tube
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 50
Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.77 V - 20 V, 20 V 58 A 230 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs TO220 650V 20A GENX3 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220AB-3 Through Hole Tube
IXYS IGBTs TO263 1KV 24A XPT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 1 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 85 A 375 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs TO220 1KV 24A IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 29 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 1 kV 2.3 V - 20 V, 20 V 76 A 375 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX50 Tube
IXYS IGBTs TO220 1KV 30A IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 106 A 500 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX51 Tube
IXYS IGBTs TO220 650V 30A XPT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 270 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBTs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 900 V 3 V - 20 V, 20 V 20 A 125 W - 55 C + 175 C IXYP8N90 Tube
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-3P (3)
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 30
Si TO-3P-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 70 A 270 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si - 20 V, 20 V Tube
IXYS IGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 110 A 484 W - 55 C + 175 C IXYR100N120 Tube

IXYS IGBTs ISOPLUS 1200V 32A DIODE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 65 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si - 20 V, 20 V Tube
IXYS IGBTs TO268 1200V 17A DIODE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 36 A 230 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBTs 650V/60A XPT Copacked TO-268HV
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 650 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 270 W - 55 C + 175 C IXYT30N65C3 Tube
IXYS IGBTs TO268 1200V 40A XPT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 76 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 600 W - 55 C + 175 C Tube