UJ4C/SC SiC-FETs von 750 V im D2PAK-7L-Gehäuse

onsemi UJ4C/SC SiC-FETs von 750 V in einem D2PAK-7L-Gehäuse sind in mehreren On-Widerstandsoptionen von 9 mΩ bis 60 mΩ erhältlich. Diese Bauelemente nutzen eine einzigartige Kaskaden-SiC-FET-Technologie, bei der ein normalerweise eingeschalteter SiC-JFET mit einem Si-MOSFET zusammen gepackt wird, um einen normalerweise ausgeschalteten SiC-FET zu erzeugen. Diese Bauelemente bieten eine überragende R_DS x Flächengütezahl, was zu niedrigen Leitungsverlusten in einem kleinen Chip führt. Das D2PAK-7L-Gehäuse bietet eine reduzierte Induktivität durch kompakte interne Verbindungsschleifen, die zusammen mit der mitgelieferten Kelvin-Quellenverbindung zu einem niedrigen Schaltverlust führt, wodurch ein Betrieb mit höherer Frequenz und eine verbesserte Systemleistungsdichte ermöglicht wird. Fünf parallele Knickflügel-Quellenverbindungen ermöglichen eine niedrige Induktivität und die Verwendung von Hochstrom. Das Silber-Sinter-Die-Attach bietet einen geringen Wärmewiderstand für maximale Wärmeableitung auf Standard-PCBs und IMS-Substraten mit Flüssigkeitskühlung.