DI010N03PW N-Channel Power MOSFETs

Diotec Semiconductor DI010N03PW N-Channel Power MOSFETs offer a low on-state resistance, a low gate charge (25nC typical), and fast switching times with an Avalanche rating. With a wide -55°C to +150°C junction temperature range, these components offer a 30V drain-source voltage, 1.4W power dissipation, and 20mJ single pulse avalanche energy. The QFN2x2 packaged DI010N03PW MOSFETs are for DC/DC converters, load switches, power management units, battery-powered devices, and commercial/industrial-grade applications.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
Diotec Semiconductor MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101
Datenblatt
4 075Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 4 000

Si SMD/SMT PowerQFN 2x2 N-Channel 1 Channel 30 V 10 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement AEC-Q101 DI010N03PW-AQ Reel, Cut Tape, MouseReel
Diotec Semiconductor MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N
Datenblatt
6 800Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 4 000

Si SMD/SMT PowerQFN 2x2 N-Channel 1 Channel 30 V 7 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement DI010N03PW Reel, Cut Tape, MouseReel