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SIJK5100E-T1-GE3

Name: Vishay SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIJK5100E-T1-GE3
Price: 5.22 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIJK5100E-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIJK5100E-T1-GE3

Herst.:

Vishay

Beschreibung:

MOSFETs PWRPK 100V 417A

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SIJK5100E-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-16
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	417 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	131 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	536 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Vishay
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	35 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	245 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	18 ns
Serie:	SIJK5100E
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	54 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	41 ns

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Datenblatt

SIJK5100E-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SiJK5100E n-Kanal-MOSFET

Der n-Kanal-MOSFET SiJK5100E von Vishay/Siliconix ist ein TrenchFET^® -Gen-V-Leistungs-MOSFET mit 100 V Drain-Source-Spannung. Dieser MOSFET verfügt über eine maximale Verlustleistung von 536 W bei +25 °C, einen kontinuierlichen Source-Drain-Diodenstrom von +25 °C 487 A und eine Einzelkonfiguration. Der SiJK5100E ist UIS-getestet, blei- und halogenfrei. Der N-Kanal-MOSFET SiJK5100E von Vishay/Siliconix arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C. Zu den typischen Applikationen gehören Synchrongleichrichtung, Automatisierung, Netzteile, Motorantriebssteuerung und Batteriemanagement.