3N163 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Linear Integrated Systems 3N163 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature high input impedance, high gate breakdown, ultra-low leakage, and low capacitance. These MOSFETs offer -40V drain-source or drain-gate voltage, 50mA drain current, and 375mW (TO-72 case), and 350mW (SOT-143 case) power dissipation. The 3N163 P-Channel MOSFETs are available in the TO-72 RoHS, SOT-143 RoHS package, and as bare die. These MOSFETs are ideal for amplifier and switching applications.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Linear Integrated Systems MOSFETs SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Datenblatt
631Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-72-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms - 6.5 V, 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement Bulk
Linear Integrated Systems MOSFETs SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 500
Mult.: 500
Rolle: 500
Si SMD/SMT SOT-143-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms - 6.5 V, 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement Reel
Linear Integrated Systems MOSFETs SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000
Si SMD/SMT SOT-143-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms - 6.5 V, 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement Reel
Linear Integrated Systems MOSFETs SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 3 000
Mult.: 3 000

Si SMD/SMT SOT-143-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms - 6.5 V, 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement