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RS1G201ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS1G201ATTB1
Price: 1.43 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RS1G201ATTB1

Herst.- Nr.:

RS1G201ATTB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs HSOP8 P-CH 40V 20A

Datenblatt:

RS1G201ATTB1 Datenblatt

ECAD Model:

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	1.43 CHF	1.43 CHF
	1.37 CHF	13.70 CHF
	1.31 CHF	131.00 CHF
	1.15 CHF	575.00 CHF
	1.06 CHF	1 060.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.97 CHF	2 425.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSOP-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	78 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	130 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	40 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	250 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	98 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	330 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24 ns
Artikel # Aliases:	RS1G201AT
Gewicht pro Stück:	771,020 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RS1G201ATTB1 Leistungs-MOSFET

Der RS1G201ATTB1 Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor verfügt über eine Pb-freie Beschichtung, einen niedrigen On-Widerstand und ein kleines HSOP8-Gehäuse zur Oberfläche Montage. Dieser MOSFET arbeitet bei einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C, -40 V Drain-Source-Spannung, ±80 A gepulstem Drain-Strom und ±20 V Gate-Source-Spannung. Der RS1G201ATTB1 Leistungs-MOSFET ist ideal für den Einsatz beim Schalten von Lasten.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.