SiC-MOSFETs – Mouser Schweiz

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MXP120A MaxSiC™ 1.200 V N-Kanal-MOSFETs

MXP120A MaxSiC™ 1.200 V N-Kanal-MOSFETs von Vishay Semiconductors zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 1.200 V, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeitszeit von 3 μs aus. Diese MOSFETs bieten außerdem einen maximalen Leistungsverlust von 56 W bis 268 W (Tc = 25 °C) und einen Dauersenkenstrom von 10,5 A bis 52 A (T_c = 25 °C). Die MXP120A MaxSiC™ 1.200 V N-Kanal-MOSFETs sind halogenfrei und in den Gehäusen TO-247 3 L, TO-247 4 L und TO-263 7 L erhältlich. Diese MOSFETs werden in Ladegeräten, Hilfsmotorantrieben und DC/DC-Wandlern eingesetzt.

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Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Pd - Verlustleistung

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Teile-Nr.

SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

MXP120A045SE-T1GE3
Vishay Semiconductors
1: 10.40 CHF
800erwartet ab 12.08.2026
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MXP120A045SE-T1GE3

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78-MXP120A045S-T1GE3

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Vishay Semiconductors

SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

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Datenblatt

800erwartet ab 12.08.2026

10.40 CHF

8.21 CHF

6.95 CHF

6.01 CHF

5.51 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

56 mOhms

- 10 V, 22 V

2.8 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

268 W

Enhancement

SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

MXP120A045SL-GE3
Vishay Semiconductors
1: 10.11 CHF
600erwartet ab 19.08.2026
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Datenblatt

600erwartet ab 19.08.2026

10.11 CHF

7.52 CHF

6.27 CHF

5.59 CHF

5.29 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AD-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

51 A

56 mOhms

- 10 V, 22 V

2.8 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

254 W

Enhancement

SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

MXP120A045SW-GE3
Vishay Semiconductors
1: 10.01 CHF
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10.01 CHF

7.46 CHF

6.21 CHF

5.54 CHF

5.24 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AD-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

51 A

56 mOhms

- 10 V, 22 V

2.8 V

84 nC

- 55 C

+ 175 C

254 W

Enhancement

SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

MXP120A063SE-T1GE3
Vishay Semiconductors
1: 8.10 CHF
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8.10 CHF

5.73 CHF

4.77 CHF

4.25 CHF

4.02 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

79 mOhms

- 10 V, 22 V

2.9 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

MXP120A063SL-GE3
Vishay Semiconductors
1: 8.81 CHF
599erwartet ab 16.09.2026
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MXP120A063SL-GE3

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8.81 CHF

6.23 CHF

5.19 CHF

4.63 CHF

4.38 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AD-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

39 A

79 mOhms

- 10 V, 22 V

2.9 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

MXP120A080SE-T1GE3
Vishay Semiconductors
1: 7.38 CHF
799erwartet ab 16.09.2026
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MXP120A080SE-T1GE3

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7.38 CHF

5.04 CHF

4.16 CHF

3.71 CHF

3.50 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

32 A

100 mOhms

- 10 V, 22 V

2.9 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

MXP120A080SL-GE3
Vishay Semiconductors
1: 8.13 CHF
599erwartet ab 16.09.2026
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MXP120A080SL-GE3

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8.13 CHF

5.56 CHF

4.58 CHF

4.08 CHF

3.86 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AD-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

100 mOhms

- 10 V, 22 V

2.9 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

MXPQ120A045SE-1GE3
Vishay Semiconductors
1: 9.88 CHF
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MXPQ120A045SE-1GE3

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800erwartet ab 19.08.2026

9.88 CHF

7.37 CHF

6.14 CHF

5.47 CHF

5.18 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

56 mOhms

- 10 V, 22 V

2.8 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

268 W

Enhancement

SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

MXPQ120A045SW-GE3
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1: 10.51 CHF
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MXPQ120A045SW-GE3

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7.84 CHF

6.53 CHF

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N-Channel

1 Channel

1.2 kV

51 A

56 mOhms

- 10 V, 22 V

2.8 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

254 W

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MXPQ120A063SL-GE3
Vishay Semiconductors
1: 9.04 CHF
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39 A

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- 10 V, 22 V

2.9 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

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N-Channel

1 Channel

1.2 kV

39 A

79 mOhms

- 10 V, 22 V

2.9 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

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