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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Qualifikation
Verpackung
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM
Datenblatt
460Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 1Mb 45ns 128K x 8 Low Power SRAM
Datenblatt
471Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 AEC-Q100 Tube
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM
Datenblatt
592Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 1Mb 55ns 128K x 8 Low Power SRAM
Datenblatt
731Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-32 AEC-Q100 Tube
Infineon Technologies SRAM 1Mb 55ns 128K x 8 Low Power SRAM
Datenblatt
563Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT STSOP-32 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
Datenblatt
422Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 350
Mult.: 1 350

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 55ns 128K x 8 Low Power SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT STSOP-32 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 45ns 128K x 8 Low Power SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 AEC-Q100 Reel