5G HF-JFETs und LDMOS-FETs
Die 5G HF-Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren (JFETs) und seitlich diffuse Metalloxid-Halbleiter- (LDMOS) -FETs von MACOM sind thermisch verbesserte Hochleistungstransistoren für die nächste Generation der drahtlosen Übertragung. Diese Bauteile verfügen über eine GaN-on-SiC-HEMT-Technologie (High Electron Mobility Transistor, HEMT), eine Eingangsanpassung, einen hohen Wirkungsgrad und ein thermisch verbessertes oberflächenmontiertes Gehäuse mit einem ohrlosen Flansch. Die 5-G-HF-JFETs und LDMOS-FETs von MACOM sind ideal für Multi-Standard-Mobilfunk-Leistungsverstärkerapplikationen.
KEINE ERGEBNISSE GEFUNDEN..
Versuchen Sie Ihren Suchbegriff unten zu ändern oder besuchen Sie unser Help Center.
Versuchen Sie Ihren Suchbegriff unten zu ändern oder besuchen Sie unser Help Center.
Suchvorschläge
- Überprüfen Sie die Schreibung der Einzelteilnummern (Bestellnummern) oder Stichwörter
- Verwenden Sie weniger oder andere Stichwörter
- Suchen Sie jeweils nur nach einer Einzelteilnummer
- Verwenden Sie jeweils nur einen Filter