SI8410DB-T2-E1

Vishay Semiconductors
78-SI8410DB-T2-E1
SI8410DB-T2-E1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

Datenblatt:
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.
Mehr über
Weitere Informationen zu Vishay Semiconductors SI8410DB-T2-E1

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
20 V
5.7 A
37 mOhms
- 8 V, 8 V
850 mV
10.4 nC
- 55 C
+ 150 C
1.8 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay Semiconductors
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: SI8
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Si8410DB 20V (D-S) n-Kanal-MOSFET

Der Vishay Si8410DB ist ein extrem kleiner und extrem dünner n-Kanal 20V (DS) MOSFET, der ein Micro-Foot- Gehäuse mit einer Auflagefläche von nur 1mm x 1mm nutzt. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 20V, ist RoHS-konform und halogenfrei. Der Si8410D wird typischerweise für Lastschalter, Energiemanagement und Hochgeschwindigkeitsschalter verwendet.
Weitere Informationen

Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten. 

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen RDS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.

Auf Lager: 22 912

Lagerbestand:
22 912 sofort lieferbar
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-.-- CHF
Erw. Preis:
-.-- CHF
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
1.16 CHF 1.16 CHF
0.652 CHF 6.52 CHF
0.537 CHF 53.70 CHF
0.428 CHF 214.00 CHF
0.409 CHF 409.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
0.359 CHF 1 077.00 CHF
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.


Haben Sie eine Frage? Bitte besuchen Sie das Hilfecenter.
Bei Fragen zu einer bestimmten Bestellung melden Sie sich bitte bei Ihrem Konto an.

Sollten Sie weitere Probleme haben, kontaktieren Sie uns bitte unter 800-346-6873 oder senden Sie eine E-Mail an help@mouser.com.