Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

IXSH40N120L2KHV

Name: IXYS IXSH40N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH40N120L2KHV
Price: 8.03 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXSH40N120L2KHV

Herst.- Nr.:

IXSH40N120L2KHV

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IXSH40N120L2KHV Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu IXYS IXSH40N120L2KHV

Auf Lager: 394

Lagerbestand:: 394 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 27 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	8.03 CHF	8.03 CHF
	5.24 CHF	52.40 CHF
	4.93 CHF	591.60 CHF
	4.88 CHF	2 488.80 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4L
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	41 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	104 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	53 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8.4 ns
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	11.7 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	SiC MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	14.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3.9 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IXSH40N120L2KHV Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Fuel-Powered/Hybrid Military UAV Systems

Littelfuse Fuel-Powered/Hybrid Military UAV Systems offer solutions for power conversion and DC bus, power distribution, and charger/ground power. These systems support power conversion and a DC bus with a rectifier diode that converts AC line voltage to DC. The fuel-powered/hybrid military Unmanned Aerial Vehicle (UAV) systems provide TVS diodes, fuses, and MOSFETs for semiconductor switches, surge protection, and rectification. These systems offer AEC-Q/MIL-grade products across various functions. Typical applications include ISR, military, and border surveillance

IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET

Der IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET ist ein Industriestandard-SiC-MOSFET mit Einzelschalter, der sich durch gute Leistungszykluseigenschaften und ein sehr schnelles, verlustarmes Schaltverhalten auszeichnet. Dieser MOSFET ist mit einer ultraschnellen intrinsischen Bodydiode ausgelegt und bietet eine maximale virtuelle Sperrschichttemperatur von 175°C. Der IXSH40N120L2KHV MOSFET verfügt über eine hohe Sperrspannung mit niedrigem On-Widerstand und Hochgeschwindigkeitsschaltung mit niedriger Kapazität. Der IXSH40N120L2KHV MOSFET wird in Schaltnetzteilen, Solar-Wechselrichtern, USV, Motorantrieben, DC/DC-Wandlern, EV-Ladeinfrastruktur und Induktionserwärmungsapplikationen verwendet.

Commercial & Tactical UAV Systems

Littelfuse Commercial and Tactical UAV Systems offer solutions for Li-Ion battery protection, battery chargers, and power distribution. These systems provide fuses for input protection/overcurrent protection, MOSFETs for semiconductor switching, and TVS diodes for DC output transient/surge protection. The commercial and tactical UAV systems offer battery protection >60V and provide main-pack fault isolation, battery disconnect/power path control (pre-charge support), and branch circuit overcurrent protection. Typical applications include ISR, military, border surveillance, agriculture, delivery/logistics, inspection, and public safety.