NV60x GaNFast™ Power FETs

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs are high‑performance enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems. These FETs feature ultra‑low gate charge, zero reverse‑recovery behavior, and minimized output charge, enabling high‑frequency operation up to 10MHz across the series. The Navitas Semiconductor NV60x supports 700V continuous and 800V transient drain‑to‑source voltages, providing robust headroom for demanding AC‑DC, DC‑DC, and DC‑AC topologies.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
Datenblatt
788Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
Datenblatt
788Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
Datenblatt
739Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
Datenblatt
777Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C