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UCC24636EVM

Name: Texas Instruments UCC24636EVM
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC24636EVM
Price: 51.6 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-UCC24636EVM

Herst.- Nr.:

UCC24636EVM

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung EVM FOR THE UCC24636 SR CONTROLLER

Datenblatt:

UCC24636EVM Datenblatt

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung
RoHS:	N
Produkt:	Demonstration Boards
Typ:	Power Management Specialized
Eingangsspannung:	5 V to 24 V
Ausgangsspannung:	5 V to 12 V
Tool für die Evaluierung von:	UCC24636
Serie:	UCC24636
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Beschreibung/Funktion:	Secondary-side synchronous rectifier controller diode replacement demonstration board
Zum Gebrauch mit:	UCC24636
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Produkt-Typ:	Power Management IC Development Tools
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Development Tools

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Datenblatt

UCC24636EVM Datenblatt

CNHTS:: 8543709990
USHTS:: 8473301180
TARIC:: 8473302000
MXHTS:: 8473300499
ECCN:: EAR99

UCC24636EVM Gleichrichter-Evaluationsmodul (EVM)

Das Texas Instruments UCC24636EVM Gleichrichter-Evaluationsmodul (EVM) ist eine Demonstrations-Tochterplatine, die eine schnelle Installation in eine bestehende DCM-Flyback-Stromversorgung ermöglicht. Dies ermöglicht dem Benutzer zur Verbesserung des Wirkungsgrades, einen Ausgangsdiodengleichrichter in einen Synchrongleichrichter umzuwandeln. Für massebezogene Dioden in Ausgängen von 5 V bis 12 V wird das Board vom Benutzer programmiert und kann direkt mit der Ausgangsstufe verdrahtet werden, auch wenn die bestehende Diode noch vorhanden ist. Dieses Evaluationsmodul erfasst das Voltsekundenprodukt (V-s) der Transformatormagnetisierung während der primären Einschaltzeit und steuert die Einschaltzeit des integrierten SR-MOSFETs, um das V-s-Produkt während der Transformatorentmagnetisierung auszubalancieren.