MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs

Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs operate using Split Gate Trench (SGT) power MOSFET technology. These MOSFETs offer a 4.8mΩ maximum RDS(on) in a compact PDFN3333 package and are available in industrial and automotive grades. The MCG4D8N04Y MOSFETs feature a high-density cell design for low RDS(on). These MOSFETs can operate at junction temperatures of -55°C to 175°C, even in extreme environmental conditions. The MCG4D8N04Y MOSFETs are lead-free and RoHS-compliant. These MOSFETs are used in applications such as Battery Management Systems (BMS), motor drives, inverter systems, solar inverters, wind turbine controllers, and in-vehicle infotainment systems.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,PDFN3333
Datenblatt
9 942Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000
Si SMD/SMT DFN3333-8 N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15.7 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,PDFN3333
Datenblatt
10 000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000
Si SMD/SMT DFN3333-8 N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15.7 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape