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STPSC2H12B2Y-TR

Name: STMicroelectronics STPSC2H12B2Y-TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC2H12B2Y-TR
Price: 2.52 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STPSC2H12B2Y-TR

Herst.- Nr.:

STPSC2H12B2Y-TR

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden Automotive 1200 V, 2 A High surge Silicon Carbide Diode

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Datenblatt:

STPSC2H12B2Y-TR Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.52	CHF 2.52
	CHF 1.60	CHF 16.00
	CHF 1.11	CHF 111.00
	CHF 0.94	CHF 470.00
	CHF 0.883	CHF 883.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.809	CHF 2 022.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Serie:	STPSC
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Gewicht pro Stück:	350 mg

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Datenblatt

STPSC2H12B2Y-TR Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

STPSC2H12-Y Siliziumkarbid-Schottky-Dioden

Die STPSC2H12-Y Siliziumkarbind-Schottky-Dioden von STMicroelectronics sind extrem leistungsstarke Schottky-Leistungsdioden. Die Dioden werden mit einem Siliziumkarbid-Substrat hergestellt. Das Wide-Band-Gap-Material ermöglicht das Design einer Schottky-Diodenstruktur mit einer Nennleistung von 1.200 V. Aufgrund der Schottky-Bauweise tritt beim Ausschalten keine Verzögerung auf und Überschwingmuster sind geringfügig. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig.

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.

Standardprodukte

Die Standardprodukte von STMikroelectronics sind eine große Auswahl von Industriestandard- und Drop-In-Ersatzteilen für die gängisten Universal-Analog-ICs, diskreten und seriellen EEPROMs. Die Standardprodukte werden nach den höchsten Qualitätsstandards hergestellt und viele davon sind für Automotive-Applikationen AECQ-qualifiziert. Eine umfassende Palette von Design-Hilfsmitteln, darunter SPICE, IBIS-Modelle und Simulations-Tools, sind verfügbar, um das Hinzufügen zu einem Design-in zu vereinfachen.