NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs

Die Einzel-n-Kanal-MOSFETs der Baureihe NVD6824NL von onsemi bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit. Diese MOSFETs verfügen über eine Drain-Source-Spannung von 100 V, einen maximalen Drain-Source-On-Widerstand von 20 mΩ und einen Dauersenkenstrom von 41 A. Die MOSFETs der Baureihe NVD6824NL sind AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Diese MOSFETs sind für Avalanche-Energie spezifiziert. Die MOSFETs der Baureihe NVD6824NL sind bleifrei, halogen-/BFR-frei und RoHS-konform. Diese MOSFETs eignen sich für Fahrzeuganwendungen wie Magnetspulentreiber und Boost-Schalter.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
onsemi MOSFETs NFET DPAK 100V 40A 24MOHM
Datenblatt
694Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 41 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 41A, 20mohm
Datenblatt
2 500erwartet ab 10.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 100 V 41 A 20 mOhms 20 V 2.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape