Gate-Treiber

Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated decken eine große Auswahl von Applikationen in Leistungssystemen und im Motorantrieb ab. Diese Gate-Treiber fungieren als Schnittstelle zwischen Mikrocontroller und IGBT- oder MOSFET-Leistungsschaltern. Die Gate-Treiber bieten optimale Antriebseigenschaften bei gleichzeitiger Steuerung der Durchzündung.

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Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V60V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs 30V N-Ch Enh FET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 10K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000
Diodes Incorporated Lineare Spannungsregler 100V Input HV Linear 12V 40mA 0.27mA 38d Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Rolle: 5 000

Diodes Incorporated DGD21904MS14-13
Diodes Incorporated Gate-Treiber HV Gate Driver Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

Diodes Incorporated DMT3020LFVW-7
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Diodes Incorporated DMTH6016LFVW-13
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000