20-V- bis 40-V-n-Kanal-Automotive-MOSFETs

Infineon Technologies 20-V- bis 40-V-n-Kanal-Automotive-MOSFETs sind für Fahrzeuganwendungen AEC-Q101-qualifiziert und in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen, einschließlich D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) und SSO8 (TDSON-8) verfügbar. Diese MOSFETs können für eine große Auswahl von Applikationen genutzt werden, einschließlich EPS-Motorsteuerung, 3-Phasen- und H-Brückenmotoren, HLK-Lüftersteuerung und elektrische Pumpen in Kombination mit der PWM-Steuerung.

Ergebnisse: 116
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Handelsname Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V,40V) 1 128Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V,40V) 3 658Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 32.6 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2 313Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 137 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V 40V) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 221 nC - 55 C + 175 C 231 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V 40V) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 7 000
Mult.: 7 000
Rolle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 66 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T2 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.88 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 134 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 46 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V 40V) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 10.1 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 26 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs N-CHANNEL_30/40V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 8.2 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 39 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_)40V 60V) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 11.2 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 41 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs N-CHANNEL 30/40V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.1 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 140 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-CHANNEL 30/40V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.5 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 95 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 240 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 Tube