20-V- bis 40-V-n-Kanal-Automotive-MOSFETs

Infineon Technologies 20-V- bis 40-V-n-Kanal-Automotive-MOSFETs sind für Fahrzeuganwendungen AEC-Q101-qualifiziert und in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen, einschließlich D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) und SSO8 (TDSON-8) verfügbar. Diese MOSFETs können für eine große Auswahl von Applikationen genutzt werden, einschließlich EPS-Motorsteuerung, 3-Phasen- und H-Brückenmotoren, HLK-Lüftersteuerung und elektrische Pumpen in Kombination mit der PWM-Steuerung.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Datenblatt
15 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.75 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs N-CHANNEL 30/40V
Datenblatt
10 000erwartet ab 11.03.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V,40V)
Datenblatt
201erwartet ab 26.05.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 24.2 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 221 nC - 55 C + 175 C 231 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 66 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.88 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 134 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 46 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs N-CHANNEL 30/40V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.1 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 140 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-CHANNEL 30/40V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.5 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 95 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 10.1 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 26 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs N-CHANNEL_30/40V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 8.2 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 39 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 240 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 Tube