DRV8706-Q1 Smart-Halbbrücken-Gate-Treiber
Der H-Brücken-Smart-Gate-Treiber DRV8706-Q1 von Texas Instruments ist ein hochintegrierter H-Brücken-Gate-Treiber, der High-Side- und Low-Side-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern kann. Das Bauteil erzeugt ordnungsgemäße Gate-Drive-Spannungen über eine integrierte Verdopplungs-Ladungspumpe für die High-Side-MOSFETs und einen Linearregler für die Low-Side-MOSFETs. Das Bauteil verwendet eine Smart-Gate-Drive-Architektur zur Reduzierung der Systemkosten und Verbesserung der Zuverlässigkeit. Der Gate-Treiber optimiert die Totzeit, um Durchzündungsbedingungen zu vermeiden. Er bietet außerdem eine Steuerung zur Verringerung elektromagnetischer Störungen (EMI) durch den einstellbaren Gate-Treiberstrom und schützt vor Drain-Source- und Gate-Short-Bedingungen mit VDS- und VGS-Wächtern.
