MMICs auf GaN-HEMT-Basis

Die auf der Basis von Galliumnitrid (GaN) und HEMT (High Electron Mobility Transistor) aufgebauten MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuits) von Cree erlauben extrem hohe Bandbreiten in kleinen Footprint-Gehäusen. GaN hat überlegene Eigenschaften im Vergleich zu Silizium oder Galliumarsenid, inklusive höherer Durchlassspannung, höherer gesättigter Elektronendriftgeschwindigkeit und höherer Wärmeleitfähigkeit. Die GaN-HEMTs verfügen auch über eine höhere Leistungsdichte und höhere Bandbreiten im Vergleich zu Si- und GaAs-Transistoren.
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