650-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

onsemi 650-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs verwenden eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium (S) eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Diese 650-V-MOSFETs haben einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine kompakte Chipgröße, um eine geringe Kapazität und Gate-Ladung zu gewährleisten. Zu den Vorteilen gehören hoher Wirkungsgrad, schnelle Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, reduzierte EMI und geringere Systemgröße.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TOLL 650V
Datenblatt
1 374Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

SMD/SMT PSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
Datenblatt
212Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 33 mohm, 650V, M2, TO247-4L
Datenblatt
444Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

TO-247-4 EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Datenblatt
457Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC