Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

TSM060N03PQ33 RGG

Name: Taiwan Semiconductor TSM060N03PQ33 RGG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM060N03PQ33RGG
Price: 0.8 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

821-TSM060N03PQ33RGG

Herst.- Nr.:

TSM060N03PQ33 RGG

Herst.:

Taiwan Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs 30V, 62A, Single N-Channel Power MOSFET

Datenblatt:

TSM060N03PQ33 RGG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Taiwan Semiconductor TSM060N03PQ33 RGG

Auf Lager: 9 984

Lagerbestand:: 9 984 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	0.801 CHF	0.80 CHF
	0.502 CHF	5.02 CHF
	0.326 CHF	32.60 CHF
	0.252 CHF	126.00 CHF
	0.207 CHF	207.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	0.183 CHF	915.00 CHF
	0.17 CHF	1 700.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Taiwan Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PDFN33-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	15 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	25.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	40 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9.6 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	14.5 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	35.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7.5 ns
Artikel # Aliases:	TSM060N03PQ33
Gewicht pro Stück:	304,151 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

TSM060N03PQ33 N-Channel Power MOSFET

Taiwan Semiconductor TSM060N03PQ33 N-Channel Power MOSFET features a 30V drain-source voltage, 62A continuous drain current, and 6mΩ on-state resistance. The TSM060N03PQ33 MOSFET provides a low gate charge for fast power switching and minimizes conductive losses. Applications include DC-DC converters, battery power management, and O-ring FETs or load switches.