TSM060N03PQ33 RGG

Taiwan Semiconductor
821-TSM060N03PQ33RGG
TSM060N03PQ33 RGG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 30V, 62A, Single N-Channel Power MOSFET

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0.175 CHF 875.00 CHF
0.172 CHF 1 720.00 CHF

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Taiwan Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PDFN33-8
N-Channel
1 Channel
30 V
15 A
4.8 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
25.4 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: Taiwan Semiconductor
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TW
Abfallzeit: 9.6 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 14.5 ns
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 35.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 7.5 ns
Artikel # Aliases: TSM060N03PQ33
Gewicht pro Stück: 304,151 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

TSM060N03PQ33 N-Channel Power MOSFET

Taiwan Semiconductor TSM060N03PQ33 N-Channel Power MOSFET features a 30V drain-source voltage, 62A continuous drain current, and 6mΩ on-state resistance. The TSM060N03PQ33 MOSFET provides a low gate charge for fast power switching and minimizes conductive losses. Applications include DC-DC converters, battery power management, and O-ring FETs or load switches.