QPC1005

Qorvo
772-QPC1005
QPC1005

Herst.:

Beschreibung:
HF-Schalt-ICs 50W 0.15-2.8GHz GaN SPDT

Datenblatt:
ECAD Model:
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Qorvo
Produktkategorie: HF-Schalt-ICs
RoHS:  
SPDT
150 MHz
2.8 GHz
0.7 dB
29 dB
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
QFN-24
GaN
QPC1005
Reel
Cut Tape
Marke: Qorvo
High-Control-Spannung: - 50 V
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Anzahl der Schalter: Single
Betriebsversorgungsstrom: 3 mA
Pd - Verlustleistung: 12 W
Produkt-Typ: RF Switch ICs
Verpackung ab Werk: 100
Unterkategorie: Wireless & RF Integrated Circuits
Artikel # Aliases: QPC1005SR
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
5A991.g

QPC1005 SPDT-Schalter (Single-Pole, Double-Throw)

Der Qorvo QPC1005 SPDT-Schalter (Single-Pole, Double-Throw) wird mit dem QGaN25 0,25-um-GaN-auf-SiC-Produktionsprozess von Qorvo hergestellt. Der QPC1005 wird von 0,15 bis 2,8 GHz betrieben und unterstützt eine Eingangsstrombelastbarkeit von 50 W bei Steuerspannungen von 0/-40 V (typisch) für CW- und gepulste HF-Betriebsabläufe. Dieser Schalter hält eine geringe Einfügungsdämpfung von weniger als 0,7 dB und eine Isolierung von mehr als 30 dB aufrecht, wodurch er sich hervorragend für Hochleistungsschaltapplikationen in Verteidigungs- und kommerziellen Plattformen eignet. Der QPC1005 von Qorvo wird in einem umspritzten QFN-Kunststoffgehäuse von 4 mm x 4 mm angeboten.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.

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