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NDSH40120CDN

Name: onsemi NDSH40120CDN
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH40120CDN
Price: 13.87 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NDSH40120CDN

Herst.- Nr.:

NDSH40120CDN

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L

Datenblatt:

NDSH40120CDN Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3LD
Konfiguration:	Dual Anode Common Cathode
If - Durchlassstrom:	52 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	1.2 kV
Vf - Durchlassspannung:	1.36 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	123 A
Ir - Sperrstrom:	2.39 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	NDSH40120CDN
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	KR
Ursprungsland:	CN
Pd - Verlustleistung:	217 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Handelsname:	EliteSiC
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV

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Datenblatt

NDSH40120CDN Datenblatt

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541590000
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

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